【摘要】利用直流反应磁控溅射法在Si，N。陶瓷基体上制备了TiN导电薄膜。采用X射线衍射仪( XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱(EDS)对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析，表明TiN薄膜均匀，且与基体有较强的附着力。采用S282型四探针测试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析，表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。
【关键词】
《现代技术陶瓷》 2015-10-19
《临沂大学学报》 2015-10-19
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010-56259535
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